运用在半导体行业的手动无损（涡流法）电阻检测技术
半导体技术的发展,决定了测试技术需要不断的提高与创新。传统的四探针法表现出很多不足,这一现实决定了必须寻求其他方法以弥补这些不足。本文对涡流法用于半导体测试方面进行了研究。本次设计采用实验和计算机数值模拟相结合的方法,对电涡流传感器的性能进行了计算机辅助分析。通过研究了激励频率,检测距离以及线圈尺寸等参数对测量结果的影响,得到了600KHz的激励频率,0.05mm的检测距离,3.3mm的线圈内径和5mm的外径等线圈参数；
只需触摸方便的探头即可进行电阻测量。
在电阻率/薄层电阻测量模式之间轻松切换
使用 JOG 拨盘轻松设置测量条件
连接到连接器的电阻测量探头是可更换的，因此它支持广泛的电阻范围。
（电阻探头：最多可使用2+PN判断探头）
半导体/太阳能电池材料相关（硅、多晶硅、SiC等）
新材料/功能材料相关（碳纳米管、DLC、石墨烯、银纳米线等）
导电薄膜相关（金属、ITO等）
硅-基于外延、离子注入的样品
化合物半导体相关（GaAs Epi、GaN Epi、InP、Ga等）
其他（*请联系我们）
无论样品大小和形状如何都可以测量（但是，它大于 20 mmφ 并具有平坦的表面）
[电阻率] 1 m 至 200 Ω ・ cm
(* 所有探头类型的总范围/厚度 500 um)
[薄层电阻] 10 m 至 3 k Ω / sq
(* 所有探头类型的总范围)
* 有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。
(1) 低：0.01 至 0.5 Ω / □ (0.001 至
0.05 Ω -cm) (2) 中：0.5 至 10 Ω / □ (0.05 至 0.5 Ω-cm)
(3 ) ) 高：10 至 1000 Ω / □ ( 0.5 to 60Ω-cm)
(4) S-High: 1000 to 3000Ω/□ (60 to 200Ω-cm)
(5) Solar Wafer: 5 to 500Ω/□ (0. 2 to 15Ω-cm)
