非接触式半导体晶片厚度测量装置及方法
种非接触式晶片厚度测量装置及方法,其特征是：超净的晶片装置于一个相对封闭的净化空间内,使用傅里叶变换红外光谱仪利用非接触方法测量出该晶片两边至腔体内壁之间空气层的厚度,使用千分尺测量得到腔体两个内壁间距,这样就可以得到晶片的精确厚度。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的晶片一直放置于相对封闭的超净空间内,测试过程非接触,从而不会导致晶片被污染和氧化,晶片表面也不会因为接触硬物而导致划伤,保证晶片的干净与表面无瑕疵,避免了液相外延生长过程中晶片厚度不精确所引起的粘液和划伤,提高了外延片的成品率。
半导体用圆晶非接触式测厚仪OZUMA22
<使用>
半导体用晶圆（各种材料） 硅Si.GaAs 砷化镓等，玻璃、金属、化合物等的高精度非接触式测厚（非接触式测厚）
<特点>
1. 1. 通过空气背压法可以进行非接触式测厚（非接触式测厚），不会造成划痕和污染等损坏
。不依赖于薄膜和颜色光泽等材料，可以轻松进行高精度的非接触式厚度测量（非接触式厚度测量）
。在潮湿时可以进行高精度的非接触式厚度测量（非接触式厚度测量）
。即使是镜面透明或半透明，也可以毫无问题地进行高精度的非接触式厚度测量（非接触式厚度测量）
。由于采用上下测量喷嘴进行测量，因此
可以准确测量“厚度”，而不受被测物体“滑行”引起的抬升的影响。
（“雪橇”测量也可以作为选项（* 1））
6. 由于操作简单，因此可以非常轻松地进行测量和校准（* 2）。
<测量原理>
精确控制上、下测量喷嘴的背压，喷嘴定位使喷嘴与被测物体之间的间隙恒定，并与预先用基准规校准的值进行比较计算处理对被测物体进行测量操作，可精确计算厚度。
<性能>
分辨率 0.1 μm
重复精度 10 次重复 连续测量时的标准偏差 (1σ) 0.3 μm 或更小
测量范围 max. 10mm (* 3)
供能电源 AC100V 50 / 60Hz 3A
洁净空气 0.4MPa 20NL/min. (*4)
<基本配置>
标准的非接触式测厚仪（非接触式测厚仪）是一组以下设备。
(1) 非接触式测厚仪（非接触式测厚仪）主体 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 1 套
②测量台（安装台） ・ ・ ・ ・ 从附“表型”选择 ・
・ ・ ・ ・ ・ ・ ・・ 1 套③ 控制盒（分体型） ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 1 套
④ 手动操作开关盒 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・· · · · · · 1套
⑤ 显示器（7"彩色液晶触摸屏）或用于测量控制的个人电脑・・・・・・・・・・1套
⑥连接电缆・・・・・・・・・・・・・・・・・・ ・ ・ ・ 1 套
⑦ 校准规（指ding厚度） ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 1 个
⑧ 测量控制的标准软件 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・
除上述以外，还可以根据用途从“选项一览”中选择选项。
